普賽斯儀表專業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！詳詢一八一四零六六三四七六；

E系列功率器件功能高壓測(cè)試模塊特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

十ms級(jí)的上升沿和下降沿；

單臺(tái)z大3500V的輸出；

0.1%測(cè)試精度；

同步電流或電壓測(cè)量；

支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試；

應(yīng)用領(lǐng)域：

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

     半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀
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     功率半導(dǎo)體器件CV測(cè)試系統(tǒng)
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