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| 公司名稱： |
大芯超導有限公司 |
公司類型： |
企業單位 () |
| 所在地區： |
廣東/深圳市 |
公司規模： |
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| 注冊資本： |
未填寫 |
注冊年份： |
2012 |
| 資料認證： |
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| 保 證 金： |
已繳納 ￥0.00 元 |
| 經營范圍： |
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管，光伏逆變器SiC MOSFET，國產IGBT Hybrid Discrete，IGBT單管，國產混合IGBT單管，國產混合三電平SiC-IGBT模塊,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，國產分立碳化硅MOSFET，國產TO263-7碳化硅MOSFET，國產碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏 |
| 銷售產品： |
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管，光伏逆變器SiC MOSFET，國產混合三電平SiC-IGBT模塊,IGBT Hybrid Discrete，IGBT單管，國產混合IGBT單管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，國產SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，國產分立碳化硅MOSFET，國產TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變 |
| 采購產品： |
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管，國產混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT單管，混合IGBT單管，國產SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，國產TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器S |
| 主營行業： |
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