四探針電阻率測試儀導電材料電阻測試儀
BEST-300C
適用范圍
四端測試法是目前較先進之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。

國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質、土壤學、水質、電子顯示器件、有色金屬。

在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質、水文地質勘察與巖土工程、水環境有毒害物質分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內及國外客戶需求

電阻測量范圍：
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
電阻：1×10-5～2×105Ω
電導率：5×10-6～1×108ms/cm
分辨率：  醉小1μΩ
測量誤差±5%
測量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
測量精度±（0.1%讀數）
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續可調，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
誤差：±0.2%讀數±2字
主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm
顯示方式：液晶顯示
電源：220±10% 50HZ/60HZ
標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數據線一套。
范圍本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。
本標準適用于側量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量材底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍，10-* n·cm～10' Ω·cm。
規范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，敷勵根據本標準達成協議的各方研究是香可使用這些文件的z新服本。凡是不注日期的引用文件，其z新版本適用于本標準。
CB/T1550 非本征率導體材料導電類型測試方法 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法
GB/T 1555 半導體單晶晶向測定方法
GB/T 14847 重摻雜襯底上輕摻雜建外延層厚度的紅外反射測顯方法
方法原到擴展電阻法是一種實驗比較法。
該方法是先測量重復形成的點接觸的擴展電阻，再用校準曲線來確定被測試樣在探針接觸點期近的電阻率。擴展電阻R是導電金屬深針與建片上一個參考點之間的電勢降與流過探針的電流之比。
對于電阻率均勻一致的半導體材料來說，探針與半導體材料接觸半徑為a的擴展電阻用式（1）來表示;
式中;p—-—電阻率，單位為歐姆厘來（0·cm）; a——接觸率徑，單位為厘米（cm） R，——擴展電阻，單位為歐姆（N），等式成立需符合如下三個假定條件;
a）兩個探針之間的距離必須大于 10 倍 a; b） 樣品電阻率需均勻一致; c） 不能形成表面保護膜或接觸勢壘。
可采用恒壓法，恒流法和對數比較器法，其電路圖分別見圖1、圖2、圖3.具體計算公式分別見式（2）、式（3）和式（4）
R,- Rlor()式中;R，—-精密電阻盟值，單位為歐姆（N）; loe（告）——-對數比較器輸出。
干狀因素如果硅片表測被氯離子估污或表固有損傷，會造成測試的結果誤差; 如果測試環境的溫度，光照強度的不同會影響測試結果; 如果測試環境有射頻干擾，會影響測試結果.
測量儀器與環境本標準選用自動測量儀器，電流范圍及糖度;10 nA~10 mA，±0.1%。
電壓范圍及精度，≤20 mV，主±0，1%。
圓試精度∶士5%， 機械裝置操針架，采用雙探針結構。探針架用作支承探針，使其以重復的速度和預定的壓力將探針尖下降至試樣表面，并可調節探針的接觸點位置探針實采用堅硬耐磨的良好導電材料如餓、碳化鴨成將釘合金等制成。針突曲率半徑不大于 25 μm，夾角 30°～60°。針距為40 μm～100 μm。
樣品臺，絕緣真空吸盤或其他能將硅片固定的裝置，能在互相垂直的兩個方向上實現5μ~500μm 步距的位移
絕緣性，探針之間及任一探針與機座之間的直流絕緣電阻大于（1×10）n， 測量環境
測量環境溫度為23 ℃士3 ℃，相對溫度不大于65%. 5，在愛射光或黑暗條件下進行調量。 必要時應進行電磁屏蔽。 探針架置于消度臺上，
為保證小信號測量條件，應使探針電勢不大于 20 mV。
應避免試樣表面上存在OH-和F離子，如果試樣在制備或清洗中使用了含水溶劑或材料，測量前可將試樣在140℃士20 ℃條件下空氣中熱處理10mi~15 min.
樣品制備用于測量晶片徑向電膽率均勻性的樣品應具有良好的鏡狀表面，制備方法包括，化學機被拋光/含水機被拋光/無水機被監光，外延后表面可直接用于測量，
用于測量電阻率縱向分布的樣品制備除特殊需要外，盡量在被測樣片中間區域劑取被測樣根據樣品測試深度及精度要求選取合通磨頭;
將樣品粘在磨頭的斜面上，選取合適的研磨膏涂抹在樣品表面進行研磨，研磨后樣品須處理干凈。
測量步驟儀器準備調節探針間距到期望值，記錄探針間距。
選擇探針負荷為0.1 N～1 N，每一探針應使用相同負荷。
根據探針負荷，確定探針下降到試樣上的速度，當負荷等于0.4N時，比較合適的探針下降速度為1 mm/s，將探針在用5 μm粒度研磨脊研磨過的硅片表面步進壓觸500次以上，或用 8000號~1000號的砂布或砂紙輕修整探針尖，使針實老化。
將針尖進行清脂處理，測量1n·cm均勻p型硅單晶樣品擴展電阻，如果多次測登的擴展電阻值的相對標準偏差在士10%以內，并且平均值是在正常的擴展電阻值范圍內，可認為針尖是良好的，否則該探針應重新老化或使用新操.
在至少放大400倍的顯微校下檢查報針壓痕的重復性，如果一給定探針得到解決的壓液不全使網探針分別以單探針結構在1n·cm的p型單晶樣品上測量擴展電阻，確保兩根針所測的擴展電阻值是相等的（編差在 10%內）。如果兩根針所測擴展電阻值不相同，重新檢查或調整探針的負荷、下降速度以確保兩針狀態相同。如果兩極探針的負荷和下降速度相同，但不能得到相同的擴展電阻值，重新修針或更換探針。
校灌在本標準電阻率測z范圍內選擇與被測試樣相同晶向和導電類型的各種電阻率的校準樣品，每一數量級置少 3 塊。
如果校準樣品的電阻率以前沒有測量過，按GB/T 15s2測壁每塊校準樣品的電阻率，記錄測量結果，
采用與被測樣品相同的材料與工藝，制備校準樣品。如果是用四探針測量電阻率后第一次制備樣品，應至少除去 25 μm 厚的樣品表面。將校準樣品清洗干凈。
對悔一校準樣品，在四探針測R過的區域至少徽2次擴展電阻測Ω，測顯的長度大約等于四操針的網外探針之間的距離。
計算每個校準樣品測得的擴展電阻的平均值和標準偏差。當標準偏差小于平均值
可選作為校準樣品.
利用每個合格的樣品測得擴展電阻的平均值和對應的電阻率平均值擬合得到R，-p雙對數坐標校準曲線.
測量按CGB/T 1S59 確定樣品的導電類型，按GB/T 15 確定樣品的晶肉;如樣晶為外題片，按 GB/T 14847 確定樣品外延層的厚度， 按第6 章制備好樣品。
將粘有制備好樣品的斜角磨塊固定安放在測試臺上，調節樣昌到顯微被觀客位置，使報針的初始下降位置與制備好樣品的斜面的斜被重合。
樣品的角度測定斜角磨塊角度小于或等于109'的樣品多須要進行小角度測量， 斜角磨塊角度大于或等于 ?54'的樣品，斜角磨塊的角度值定為料角值。
根據樣品的厚度以及期望測試結果的精度選取合適步進，將樣品調節到測試位置。
在電腦中輸入樣品的測試編號，結構，品向，角度（或斜角值）.步進、圓試點數，進行測試，測試過程中應保證測試臺不受任何碰撞。
測試完成后及時將樣品取下測試臺。根據樣品的結構選擇合適的校準曲線進行數據處理可得到相對應的濃度，電阻率的級向分布， 3 試驗報告
試驗報告應包括以下內容， 樣品編號;樣品的導電類型、晶體晶向，著是外延片，還應有外延層厚度及其測試方法;）樣品表面的制備條件; 環境溫度;操針間距、步距和操針負荷;測量區域的擴展電阻、濃度、電阻率的級向分布圖及數據，本標準編號; 測量者測量日期。

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